知识自测

1.填空题

（1）半导体是一种导电能力介于________和________之间的物质。

（2）半导体具有________、________和________性。

（3）杂质半导体分________型半导体和________型半导体两大类。

（4）N型半导体是在本征半导体中掺入________价元素形成的，其多数载流子是________，少数载流子是________。

（5）PN结加正向电压，是指电源的正极接________区，电源的负极接________区，这种接法称为________。

（6）PN结具有________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时PN结________。

（7）在判别硅、锗二极管时，当测出正向压降约为________时，就认为此二极管为锗二极管；当测出正向压降约为________时，就认为此二极管为硅二极管。

（8）图1-64所示各电路，不计二极管正向压降，UAB电压值为：（a）UAB=________V，（b）UAB=________V，（c）UAB=________V。

（9）当温度上升时，三极管的ICEO________，β________，UBE________。

（10）三极管的________区与________区由同一类型材料组成，其中________区掺杂浓度高，________区掺杂浓度低。

（11）正常工作的PNP型三极管各电极电位关系是UC<UB<UE，该管工作于________状态。

（12）三极管三个极电流之间的关系式为IE=________。

（13）三极管输出特性中的三个区分别称为________区、________区和________区。

（14）在一个放大电路板内测得某只三极管三个极的静态电位分别为U1=6V，U2=3V，U3=3.7V，可以判断1引脚为________极，2引脚为________极，3引脚为________极，此管为________型管，由________材料制成。

（15）在UDS为某一定值时，使增强型场效应管开始有漏极电流ID时的UGS称为________。

（16）图1-65所示为场效应管转移特性曲线，试分析此管：管型为________沟道________型，UP（或UT）=________V，IDSS=________mA。

（17）场效应管漏极特性如图________1-66所示，试分析此管：管型为________沟道________型，UP（或UT）=V，IDSS=________mA；gm=________。

（18）用万用表R×1kΩ挡测得某二极管的正、反向电阻均为∞，则说明此管________。若正、反向电阻都为0Ω，则说明此管________。

（19）三极管是一种________控制器件；场效应管是一种________控制器件；场效应管的输入电阻________。

（20）三极管是由________个PN结构成的一种半导体器件，从结构上看可以分为________和________两大类型。三极管工作在放大区的条件是：发射结加________电压，集电结加________电压。

（21）三极管的电流放大作用是指三极管的________电流约为________电流的β倍，即利用________电流就可以控制________电流。

（22）三极管正常放大时，发射结的正向导通压降变化不大，小功率硅管约为________V，锗管约为________V。

（23）三极管在放大区的特征是当IB固定时，IC基本不变，体现了它的________特性。

（24）某三极管，当测得IB=30μA时，IC=1.2mA，则发射极电流IE=________mA；如果IB增加到50μA时，IC增加到2mA，则三极管的电流放大系数β=________。

（25）场效应管以________控制________，属于________控制型半导体器件。

（26）场效应管的导电过程仅仅取决于________载流子的运动，因此场效应管又称________晶体管。

（27）场效应管按其结构的不同，可分为________和________两大类型。

（28）三极管的输出特性曲线可分为三个区域：当三极管工作在________区时，关系式IC≈βIB才成立；当三极管工作在________区时，IC≈0；当三极管工作在________区时，UCE≈0。

（29）三极管电路共有________、________、________三种连接方式。

（30）当NPN型硅管处在放大状态时，在三个电极中，________极电位最高，________极电位最低，基极与发射极电位之差一般为________V。

2.判断题

（1）三极管饱和时，集电极电流不再随基极电流增大而增大。　　（　）

（2）放大电路应选用β较大、ICEO小的三极管。　　（　）

（3）三极管由两个PN结组成，所以可将两个二极管反向连接起来当作三极管使用。　　（　）

（4）发光二极管正常工作时，其正向电压要比普通二极管两端的正向电压高。　　（　）

（5）三极管使用中，当IC>ICM时，三极管必然损坏。　　（　）

（6）发射结处于正向偏置的三极管，一定工作在放大状态。　　（　）

（7）用万用表识别二极管的极性时，若测的是二极管的正向电阻，那么，与标有“+”号的表笔相连接的是二极管正极，另一端是负极。　　（　）

（8）无论是哪类三极管，当处于放大工作状态时，B极电位总是高于E极电位，C极电位也总是高于B极电位。　　（　）

（9）场效应管是一种电流控制的放大器件，工作原理与三极管相同。　　（　）

（10）结型场效应管的UGS可正、可负或为零。　　（　）

（11）P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。　　（　）

（12）N沟道增强型场效应管，只有当UGS>UT时才开始导通。　　（　）

（13）场效应管的最大优点是具有较高的输入电阻。　　（　）

（14）在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以改为P型半导体。　　（　）

（15）P型半导体带正电，N型半导体带负电。　　（　）

（16）使用MOS管应注意避免栅极悬空及减少外界感应。　　（　）

（17）锗二极管的导通电压约为0.1V。　　（　）

（18）PN结外加反向电压时，阻挡层的厚度变厚。　　（　）

（19）稳压二极管要正常工作，只需在它的两端加一个反向电压即可。　　（　）

（20）三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体构成的，故发射极和集电极可以互换使用。　　（　）

3.选择题

（1）如果二极管的正、反向电阻都非常小或为零，则该二极管（　）。

A.正常　　B.已被击穿　　C.内部已断路

（2）已知某三极管为硅管，则该管饱和时的UCES=（　）。

A.0.7V　　B.0.1V　　C.0.3V

（3）三极管三个极电位如图1-67所示，则此管工作于（　）。

A.放大状态　　B.饱和状态　　C.截止状态

（4）用万用表欧姆挡测量小功率三极管的特性好坏时，应把欧姆挡放至（　）。

A.R×100Ω挡或R×1kΩ挡　　B.R×1Ω挡　　C.R×10kΩ挡

（5）某三极管的极限参数为ICM=100mA，U（BR）CEO=20V，PCM=100mW，则该元件正常工作状态为（　）。

A.IC=10mA，UCE=15V　　B.IC=10mA，UCE=9V

C.IC=20mA，UCE=9V

（6）在二极管的正向导通区，二极管相当于（　）。

A.大电阻　　B.接通的开关　　C.断开的开关

（7）在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度（　）空穴浓度。

A.大于　　B.小于　　C.等于

（8）当三极管的两个PN结都反偏时，则三极管处于（　）；当三极管的两个PN结都正偏时，则三极管处于（　）。

A.截止状态　　B.饱和状态　　C.放大状态

（9）用万用表R×1kΩ的电阻挡测量一只能正常放大的三极管，若用黑表笔接触一只引脚，红表笔分别接触另两只引脚时测得的电阻值都较小，则该三极管是（　）。

A.PNP型　　B.NPN型　　C.无法确定

（10）用万用表测得三极管任意两个极之间的电阻均很小，则说明该管（　）。

A.两个PN结都短路　　B.发射结击穿，集电结正常

C.两个PN结都断路

（11）在电场作用下，空穴与自由电子运动形成的电流方向（　）。

A.相同　　B.相反

（12）用万用表的不同欧姆挡测量二极管的正向电阻时，会观察到其测得的阻值不同，究其根本原因是（　）。

A.万用表在不同的欧姆挡有不同的内阻

B.二极管有非线性的特性

C.二极管的质量差

（13）在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（　），而少数载流子的浓度则与（　）有很大关系。

A.温度　　B.掺杂工艺　　C.杂质浓度　　D.晶体缺陷

（14）稳压二极管是利用二极管的（　）特性进行稳压的。

A.正向导通　　B.反向截止　　C.反向击穿

（15）半导体导电的载流子是（　）。

A.自由电子　　B.空穴　　C.自由电子和空穴

（16）N型半导体的多数载流子是（　），少数载流子是（　）。

A.自由电子　　B.空穴　　C.自由电子和空穴

（17）二极管的正向电阻越（　），反向电阻越（　），则说明二极管的单向导电性越好。

A.大　　B.小

（18）硅二极管和锗二极管的死区电压分别是（　）和（　），正向导通时的工作压降分别是（　）和（　）。

A.0.1V　　B.0.3V　　C.0.5V　　D.0.7V

（19）工作在反向偏置状态的特殊二极管是（　），正向偏置状态的是（　）。

A.稳压二极管　　B.发光二极管　　C.光电二极管　　D.变容二极管

（20）P型半导体多数载流子是带正电的空穴，所以P型半导体（　）。

A.带正电　　B.带负电　　C.没法确定　　D.电中性

（21）三极管三个极电流的关系是（　）。

A.IC>IB>IE　　B.IE>IB>IC　　C.IE>IC>IB　　D.IC>IE>IB

（22）如果三极管的发射结和集电结均处于正偏状态，则说明该三极管处于（　）状态。

A.放大　　B.截止　　C.饱和

（23）如果测得NPN型三极管三个极电位为UB=0.3V，UC=5V，UE=0V，则说明该三极管处于（　）状态。

A.放大　　B.截止　　C.饱和

（24）三极管的极限参数为PCM=40mW，U（BR）CEO=10V，ICM=15mA，如果三极管的集电极电流为IC=7mA，UCE=6V，则该三极管（　）。

A.会被烧坏　　B.处于安全工作区　　C.不能确定

（25）某个三极管的β=100，测得IB=50μA，IC=3mA，可判定该三极管工作在（　）。

A.放大区　　B.截止区　　C.饱和区